一种存储芯片封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011251334.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112366138B | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN112366138B | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 秦玲 | 申请（专利权）人 | 济南南知信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳泛航知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓爱军 |
| 地址 | 412007 湖南省株洲市天元区黄河北路272号幸福大厦1601（03）室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种存储芯片封装结构的制备方法，该方法包括以下步骤：在第一载板上设置第一封装层、第一线路层、第一存储芯片、控制芯片和第二存储芯片；接着在所述第一封装层上设置第二封装层、第二线路层、第三存储芯片、缓存芯片和第四存储芯片；接着在所述第二封装层上设置第三封装层、第三线路层、第五存储芯片和第六存储芯片；接着在所述第三封装层上设置第四封装层、第四线路层、第七存储芯片和第八存储芯片；接着去除所述第一载板，接着在各封装层中形成暴露各存储芯片的背面的多个第一凹槽，并在所述第一封装层中形成暴露所述第一线路层的多个第二凹槽，接着在所述第一、第二凹槽中分别形成散热柱和导电柱。 |
