一种半导体封装的制备方法

基本信息

申请号 CN202010371287.4 申请日 -
公开(公告)号 CN111508899B 公开(公告)日 2022-02-11
申请公布号 CN111508899B 申请公布日 2022-02-11
分类号 H01L21/98(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 侯新飞 申请(专利权)人 济南南知信息科技有限公司
代理机构 深圳市国亨知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 李夏宏
地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区海天二路25号深圳湾创业投资大厦35层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出的一种半导体封装的制备方法,包括以下步骤:在第一载板上设置第一半导体芯片,在所述第一半导体芯片的四周侧面形成多个第一沟槽,在所述第一沟槽中形成第一导电结构,在所述第一半导体芯片的所述第二表面上形成第一布线层,在所述第一半导体芯片上设置第二半导体芯片,在所述第二半导体芯片的四周侧面形成多个第二沟槽,在所述第二沟槽中形成第二导电结构,在所述第二半导体芯片的上表面上形成第二布线层,在所述第二半导体芯片上设置第三半导体芯片,接着形成封装胶层以覆盖所述第一、第二、第三半导体芯片,将所述第一半导体芯片安装在线路基板上。