一种可用于高导热氮化铝基板的红外光源

基本信息

申请号 CN201921576235.X 申请日 -
公开(公告)号 CN211010868U 公开(公告)日 2020-07-14
申请公布号 CN211010868U 申请公布日 2020-07-14
分类号 F21S2/00(2016.01)I 分类 -
发明人 李少飞 申请(专利权)人 广东省旭晟半导体股份有限公司
代理机构 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 深圳市旭晟半导体股份有限公司
地址 518000广东省深圳市光明新区公明街道河堤路20号冠城低碳产业园E栋1楼A区、8楼、9楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及红外光源技术领域,尤其为一种可用于高导热氮化铝基板的红外光源,包括包括氮化铝基板,所述氮化铝基板的上下两侧均设有散热片,且氮化铝基板上设有若干红外光源,上下两个所述散热片通过固定机构固定在氮化铝基板上,所述散热片的表面设有若干组用于插接红外光源上的极柱的极柱槽,每组极柱槽均设有相互对称的两个,且每组极柱槽的周围均设有若干散热孔。本实用新型通过固定机构的设置可实现在氮化铝基板上固定设置散热片,从而保证氮化铝基板在工作时的高导热性和散热性。