填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法
基本信息
申请号 | CN202110565980.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113354445A | 公开(公告)日 | 2021-09-07 |
申请公布号 | CN113354445A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
分类号 | C04B41/84;C25D1/04;C25D3/38 | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 陈智栋;卜李银;王文昌;吴敏贤;明小强;王朋举 | 申请(专利权)人 | 江苏铭丰电子材料科技有限公司 |
代理机构 | 常州市权航专利代理有限公司 | 代理人 | 张佳文 |
地址 | 213164 江苏省常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于添加剂分解产物去除技术领域,具体涉及一种填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法。本填充材料包括:ZrCl4:2.5g;印迹分子:0.25‑25g;DMF:568.8g;BDC:1g;PC:1.25‑25g。本填充材料的制备方法包括:ZrCl4和印迹分子于容器中形成反应物;反应物中加入DMF超声溶解形成反应溶液;反应溶液中加入BDC超声溶解;PC浸渍于反应溶液中搅拌;通过水热法处理反应溶液去除添加剂分解产物分子,制备印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料。本发明可有效对添加剂分解产物选择性吸附,达到有效去除添加剂分解产物、使铜的电沉积薄膜中不混入分解产物、实现电流在阴极和阳极上均匀分布、提高电解铜箔品质以及制备高延展性低轮廓电解铜箔的效果。 |
