N型衬底硅太阳能电池及其生产方法

基本信息

申请号 CN201110338995.9 申请日 -
公开(公告)号 CN102403377A 公开(公告)日 2012-04-04
申请公布号 CN102403377A 申请公布日 2012-04-04
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张云国;俞英芸;庞井明;张立波;石义洋 申请(专利权)人 宁波市鑫友光伏有限公司
代理机构 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 代理人 唐迅
地址 315145 浙江省宁波市鄞州区滨海投资创业中心启航南路555号(宁波市鑫友光伏有限公司)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种N型衬底硅太阳能电池及其生产方法,包括N型硅衬底,其特征是在N型硅衬底的一侧设有N+区层,在N+区层上设有减反膜层,在减反膜层上设有正银层,在N型硅衬底的另一侧设有P区层,在P区层上设有背电极层,所述背电极层为金属铝层。本发明得到的N型衬底硅太阳能电池,比P型衬底硅太阳能电池有更高的载流子寿命、复合缺陷少、温度系数误差小、厚度薄,在供给料上也有着不可估计的优势;N型硅太阳电池通过工艺的进一步改善,能够将太阳电池的转换效率得到更大的提高,并在很大程度上改善太阳电池的电性能,平均每一片比P型衬底硅太阳电池多0.15W,按每瓦平均10元人民计算,每条生产线将增加利润近千万元。