一种纳米级单晶三元正极材料前驱体、单晶三元正极材料及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110444189.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113249777A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113249777A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | C30B9/12（2006.01）I;C30B29/22（2006.01）I;H01M4/505（2010.01）I;H01M4/525（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 乔水伶;李崇;吕明;王慧萍;方向乾;曹壮;高峰;杨欣 | 申请（专利权）人 | 陕西彩虹新材料有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李鹏威 |
| 地址 | 712021陕西省咸阳市彩虹二路陕西彩虹新材料有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米级单晶三元正极材料前驱体、单晶三元正极材料及制备方法，包括：将镍、钴和锰金属单质纳米粉末和助熔剂按比例混合分散均匀；将分散均匀后的物料在第一温度曲线下进行烧结；将烧结后的物料自然冷却至室温，经过破碎和过筛，得到纳米级单晶三元正极材料前驱体。本发明制备过程中避免了产生副产物气体，工艺简单且成本低。 |
