一种晶圆表面处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202111269451.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664657A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664657A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/324（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏星;戴荣旺;汪子文;薛忠营;陈猛;徐洪涛 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 代理机构 | 上海泰博知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种晶圆表面处理方法。本发明通过控制处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火和降温氧化减薄过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，有效减少了最终处理工艺成本，具有良好的应用前景。 |
