一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210185094.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114678272A | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN114678272A | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张波;丁华俊;薛忠营;魏星 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 代理机构 | 上海泰博知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种NiGe/n‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法包括：将Ge片作为衬底，预处理；然后Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；依次蒸镀Al和Ni，然后去除不在图形内的金属；退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGe/n‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。 |
