有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202120460762.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215668280U | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN215668280U | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B28/10（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I;B01D46/12（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 吴新功;吴义凯;田京生 | 申请（专利权）人 | 珠海经济特区方源有限公司 |
| 代理机构 | 深圳至诚化育知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘英 |
| 地址 | 519031广东省珠海市香洲区宝南路317号方源大厦四层401、402、403、404、405、407室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置，包括保温筒、坩埚和保温盖，还包括避免杂质影响设备损坏的过滤结构、便于观察晶体生长的观察结构和保证晶体生长质量的抑制结构，所述保温筒内部底端的中间位置处安装有坩埚，且坩埚的内部设置有保护层，所述坩埚下方的保温筒内部底端设置有热电偶，且保温筒内部的下端等角度安装有加热器，所述观察结构设置在保温筒一侧的上端，所述保温筒另一侧的上端开设有换气管，且过滤结构设置在换气管的内部，所述保温筒的顶端设置有保温盖。本实用新型通过设置可调节的保温筒，使得后续抽真空速率更快，且保证保温筒内部的密封性，避免外部气体进入导致晶体的污染，进而降低晶体的质量。 |
