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扇出型晶圆级封装方法及封装结构

基本信息

申请号 CN202210157962.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114551258A 公开（公告）日 2022-05-27
申请公布号 CN114551258A 申请公布日 2022-05-27
分类号 H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郝兵;姚辉轩 申请（专利权）人 江苏卓胜微电子股份有限公司
代理机构 华进联合专利商标代理有限公司 代理人 -
地址 214123江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及嵌入式扇出型晶圆级芯片封装技术领域，特别涉及了一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构，所述方法包括提供衬底；在衬底的第一表面上形成牺牲层；在牺牲层的表面上形成第一厚胶层，采用曝光显影工艺在第一厚胶层内形成凹槽；提供芯片，将芯片键合于凹槽内；芯片形成有焊盘的正面远离凹槽的底部；芯片的厚度大于凹槽的厚度；至少在第一厚胶层远离衬底的表面形成第二厚胶层，第二厚胶层覆盖芯片；在第二厚胶层上形成有第一开口，第一开口暴露出焊盘；在第二厚胶层远离第一厚胶层的表面形成重布线层，重布线层与焊盘相接触。上述封装方法在整个制备工艺中使用的是全厚度晶圆，可以达到减小晶圆翘曲的目的。