一种具有改进性能的半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201811495425.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109637971B | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN109637971B | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L21/762 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭勇 | 申请（专利权）人 | 合肥市华达半导体有限公司 |
| 代理机构 | 合肥方舟知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱荣 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区望江西路860号合芜蚌实验区科技创新公共服务和应用技术研发中心B栋六楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有改进性能的半导体器件，包括一硅衬底，硅衬底具有第一表面、第二表面，其第一表面上依次设有介电层、第一氧化层、硅顶层、第一掩模层，其第二表面上依次设有第二氧化层、阻挡层、第二掩模层，介电层上设有贯穿其的阱区，阱区内填充有氮化物，阻挡层上设有贯穿其的凹陷区，凹陷区内部进行真空处理。本发明通过将阱区设置在介电层上，且填充氮化物，使得介电层降低对半导体器件形成过程的影响，同时阱区的设置，避免硅衬底与硅顶层间形成的固有结电容对硅衬底中载流子的影响，进而提高信号通过半导体器件的效率，且降低信号的失真率。 |
