首页/ 杭州浙阳电气有限公司/ 专利详情

门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块

基本信息

申请号 CN201710696390.4 申请日 -
公开（公告）号 CN107342313A 公开（公告）日 2017-11-10
申请公布号 CN107342313A 申请公布日 2017-11-10
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨贺雅;罗浩泽;梅烨 申请（专利权）人 杭州浙阳电气有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 杭州浙阳电气有限公司
地址 310012 浙江省杭州市西湖区文三路408号5号楼309-311室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块。包括四个功率电势区域和三个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连接到相邻的功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间和第三、第四功率电势区域之间设有第二辅助电势区域，沿第二方向上第一辅助电势区域和第一或者第三功率电势区域之间设有第一辅助电势区域，在第二、第一功率电势区域之间以及第三、第一功率电势区域之间设有第三辅助电势区域，第二、第三辅助电势区域之间电连接。与现有技术相比，本发明提供的功率半导体模块的优势在于可使功率开关各芯片的控制回路杂散参数均匀。