一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610410939.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105810764A | 公开（公告）日 | 2016-07-27 |
| 申请公布号 | CN105810764A | 申请公布日 | 2016-07-27 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈良范;孙嵩泉;甄永泰 | 申请（专利权）人 | 安徽恒致铜铟镓硒技术有限公司 |
| 代理机构 | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张建宏 |
| 地址 | 233030 安徽省蚌埠市汤和路268号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的制备方法，其基本步骤按顺序依次为：1）用物理真空溅射沉积薄膜的方法沉积一层铜镓合金薄膜。2）将上述铜镓薄膜在真空蒸发镀膜的硒蒸汽环境中硒化处理。3）在硒化处理后的薄膜上用真空共蒸发法沉积铟和硒元素。4）最后用真空蒸发法在上述薄膜之上沉积少量的镓以调节铜铟镓硒薄膜太阳能电池光电吸收转换层的电学性能。 |
