一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011424621.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112573894A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112573894A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;C04B33/04(2006.01)I;C04B33/13(2006.01)I;C04B33/32(2006.01)I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 高燕凌;董金勇 | 申请（专利权）人 | 中铭瓷（苏州）纳米粉体技术有限公司 |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨慧林 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区6幢204、206室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，包括如下步骤，步骤S1：将陶瓷所需的固体材料混合，加水后进行粉碎研磨，步骤S2：将研磨后的材料静置，自然干燥成粉饼，然后通过研磨机研磨成粉，得到陶瓷粉剂，步骤S3：将S2中获得的陶瓷粉剂混入粘合剂，混合成备用料，步骤S4：将备用料通过粉体冷压成型制成胚体，步骤S5：然后将成型样品放入多等级烘烤装置进行热压烧结，炉内温度依次200‑600℃，600‑1000℃和1000‑1600℃，步骤S6：在烧制成型后，通过自然风冷方式冷却，封装完成，通过将成型样品放入多等级烘烤装置进行热压烧结，随着温度的逐级升高，能够保证坯料烘烤时质地发生变化后，层次分明，保证坯料成型效果更好，保证陶瓷粉体质量。 |
