晶体硅表面倒金字塔的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811345978.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109545890A | 公开（公告）日 | 2019-03-29 |
| 申请公布号 | CN109545890A | 申请公布日 | 2019-03-29 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0236（2006.01）I; C30B33/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛艳龙; 李剑; 包卫锋; 顾生刚; 杨二存 | 申请（专利权）人 | 江西合创光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 常州市夏成专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈毅 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市新建区望城新区璜溪大道688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及微电子纳米加工领域，尤其涉及一种晶体硅表面倒金字塔的制备方法。该方法包括以下步骤：首先在晶体硅表面通过纳米压印技术制作周期性排列的光刻胶图形，然后将该晶体硅片置于RIE刻蚀设备中。通过调节RIE设备的工艺参数，对晶体硅表面进行刻蚀，形成所需要的倒金字塔绒面结构。此方法制备快速，能够大大增加光的吸收率，从而提高光电转换效率。 |
