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一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器

基本信息

申请号 CN202121420029.7 申请日 -
公开（公告）号 CN214893824U 公开（公告）日 2021-11-26
申请公布号 CN214893824U 申请公布日 2021-11-26
分类号 G01L13/06（2006.01）I;G01L19/00（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 赵建立;马志强 申请（专利权）人 南京沃天科技股份有限公司
代理机构 南京中软知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 郑燕飞
地址 210000江苏省南京市江宁区滨江开发区闻莺路
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座主体、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室、螺纹接头、定位管和充油管；基座主体的上端内侧壁套接安装有烧结底座；烧结底座的下端面对接安装有芯体座；芯体座的上端面开设的凹槽内部安装有单晶硅芯片；烧结底座和芯体座的外侧壁安装有芯体管路；基座主体的内部间隔嵌入安装有基座管路；基座主体的内部正中心竖直开设加工有中心腔室；中心腔室的内部竖直安装有中心膜片；本实用新型能够提供一种密封性能好、压力传感性能好以及部件便于拆卸更换的对称结构的高精度单晶硅差压传感器。