首页/ 南京沃天科技股份有限公司/ 专利详情

一种全焊接型具有对称结构的单晶硅差压传感器

基本信息

申请号 CN202120147621.8 申请日 -
公开（公告）号 CN214951937U 公开（公告）日 2021-11-30
申请公布号 CN214951937U 申请公布日 2021-11-30
分类号 G01L13/06（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 高峰 申请（专利权）人 南京沃天科技股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 210000江苏省南京市江宁区滨江开发区闻莺路
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种全焊接型具有对称结构的单晶硅差压传感器，包括包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座主体、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室、螺纹接头、芯体管、陶瓷垫，所述芯体管路、基座管路、中心腔室、隔离腔室内腔均设置填充液，所述基座管路、中心腔室、隔离腔室相对于中心膜片呈轴对称分布，所述中心腔室与隔离腔室内腔中填充的填充液相等。本实用新型中，通过将基座管路、中心腔室与隔离腔室相对于中心膜片呈轴对称分布，且中心腔室与隔离腔室腔室中填充液相等，提高传感器温漂性能，降低了生产成本，从而提高了单晶硅差压传感器的使用效果。