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存储单元结构及形成方法

基本信息

申请号 CN202011510218.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112635467A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112635467A 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L27/108 分类 基本电气元件;
发明人 顾学强 申请（专利权）人 上海微阱电子科技有限公司
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 陶金龙;吴世华
地址 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种存储单元结构，通过形成沿第一方向覆盖部分所述有源区表面的有源介质层，所述有源介质层延伸至相邻的浅沟槽隔离结构的部分表面；下电极层，位于所述有源介质层两侧，且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸覆盖所述浅沟槽隔离结构的表面；在所述有源介质层和所述下电极层上形成沿所述第一方向排成一列的存储结构。位于所述有源介质层上的存储结构形成晶体管，位于所述下电极层上的存储结构形成存储电容，在不增加晶体管面积的前提下实现一个晶体管加两个存储电容的存储单元结构，提高器件的集成度，达到了提高器件性能和可靠性的目的，具有显著的意义。