背照式图像传感器及其形成方法

基本信息

申请号 CN202111563810.4 申请日 -
公开(公告)号 CN114156300A 公开(公告)日 2022-03-08
申请公布号 CN114156300A 申请公布日 2022-03-08
分类号 H01L27/146(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李梦 申请(专利权)人 上海微阱电子科技有限公司
代理机构 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 黄海霞
地址 201210上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种背照式图像传感器,包括半导体衬底,所述半导体衬底具有正表面和背表面;设于所述半导体衬底内的浅隔离槽和感光单元;设于所述半导体衬底内的深隔离槽;覆盖所述半导体衬底的正表面的第一介质层,所述第一介质层包括金属互连结构;覆盖所述半导体衬底的背表面的第二介质层,所述第二介质层包括金属栅格和导通结构,所述导通结构的一端与金属栅格导通,另一端与焊盘结构导通;焊盘结构,贯穿所述半导体衬底和所述第二介质层,且与所述金属互连结构连通。该背照式图像传感器的工艺步骤相比现有结构能够减少光罩版的使用,同时能实现金属栅格电势调节,减少工艺步骤,节约成本及改善图像传感器性能。