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一种沟槽式电容器件及制备方法

基本信息

申请号 CN202011510217.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112635440A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112635440A 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L23/64;H01L49/02 分类 基本电气元件;
发明人 顾学强 申请（专利权）人 上海微阱电子科技有限公司
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 陶金龙;吴世华
地址 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种沟槽式电容器件的制备方法，沟槽电容区包括若干沟槽以及电容结构，所述沟槽贯穿第一介质层且终止于第一金属互连层，所述电容结构位于所述第一介质层上且填充所述沟槽；具有第一开口的第二介质层，贯穿第二介质层和所述第一介质层且终止于所述第二金属互连层的第二开口，填充所述第一开口和所述第二开口的电极互连层。本发明的所述第一开口的靠近所述第二开口的一侧侧壁与所述第二开口的一侧侧壁的侧壁延长线重叠，本发明使得所述第二开口的深度进一步增加，且缩小了第二开口的开口尺寸，从而有效提升单位面积的电容值，形成高性能的沟槽式电容器件，具有显著的意义。