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一种防止划片短路的CMOS图像传感器结构和形成方法

基本信息

申请号 CN201811208493.2 申请日 -
公开（公告）号 CN109524426B 公开（公告）日 2021-05-18
申请公布号 CN109524426B 申请公布日 2021-05-18
分类号 H01L27/146 分类 基本电气元件;
发明人 顾学强 申请（专利权）人 上海微阱电子科技有限公司
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 陶金龙;张磊
地址 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种防止划片短路的CMOS图像传感器结构和形成方法，通过在感光芯片和逻辑芯片的内部电路区域外侧设置复合隔离结构，包括在感光芯片的n型衬底里形成的P阱注入区、第一P+注入区、第三金属互连层结构，在逻辑芯片里形成的第四金属互连层、第二P+注入区，以及将第三金属互连层和第四金属互连层进行上下电连接的硅穿孔结构，实现了逻辑芯片p型衬底和感光芯片n型衬底中P阱注入区之间的电学连接，并隔绝了处于n型衬底中用于感光的像素单元阵列区域和外围的悬浮n型衬底区，当划片形成的硅残渣烧结物在堆叠芯片的侧壁上形成残留时，其仅连接了悬浮n型衬底区和p型衬底，不会造成电源到地的短路或静态电流的增大。