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一种堆叠式深耗尽图像传感器像素单元结构及制作方法

基本信息

申请号 CN201910560969.7 申请日 -
公开（公告）号 CN110289277B 公开（公告）日 2021-12-14
申请公布号 CN110289277B 申请公布日 2021-12-14
分类号 H01L27/146（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 顾学强 申请（专利权）人 上海微阱电子科技有限公司
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 陶金龙;张磊
地址 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种堆叠式深耗尽图像传感器像素单元结构，包括设有P阱的第一硅片和设有箝位式光电二极管的第二硅片，第一硅片上设有第一后道介质层，第一后道介质层中设有第一金属互连层，第二硅片上设有第二后道介质层，第二硅片背面上像素单元的部分区域设有P注入衬底，第一硅片和第二硅片之间通过第一、第二后道介质层的键合而堆叠在一起，导电硅穿孔的上端与第一金属互连层电连接，下端穿过第一后道介质层、第二后道介质层及第二硅片进行电学引出，能有效防止在P阱和P注入衬底之间加不同电位时可能形成漏电通道的问题，提升了图像传感器的性能。本发明还公开了一种堆叠式深耗尽图像传感器像素单元结构的制作方法。