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对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法

基本信息

申请号	CN200910032300.7	申请日	-
公开（公告）号	CN101691205B	公开（公告）日	2012-02-29
申请公布号	CN101691205B	申请公布日	2012-02-29
分类号	B82B3/00(2006.01)I	分类	超微技术〔7〕;
发明人	时文华;王逸群;曾春红;张宝顺	申请（专利权）人	佛山中科微纳科技有限公司
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;佛山中科微纳科技有限公司
地址	215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，先对SOI衬底的底层Si进行厚度削减及抛光；再在其顶层Si生长薄膜金属；并对其正反面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀，形成刻蚀窗口，并深度刻蚀至埋层SiO2，形成基于埋层SiO2的背面深孔与正面薄膜结构；去除SOI衬底上剩余的刻蚀阻挡层后在薄膜金属表面涂覆电子束抗蚀剂，并进行电子束直写曝光、显影、定影，得到所需的极限纳米级图形。藉由以SOI作为薄膜金属的衬底材料，并对SOI面向所需图形生成区域的背面进行深度刻蚀的工艺，极大地降低了电子束临近效应的不利影响，为在金属薄膜材料上生成极限纳米级图形提供了一种实施简便、图形精度高且成本低廉的电子束曝光改善方法。