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垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法

基本信息

申请号 CN200910197889.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102051672A 公开（公告）日 2011-05-11
申请公布号 CN102051672A 申请公布日 2011-05-11
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 黄小卫 申请（专利权）人 上海元亮光电科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201800 上海市嘉定区马陆镇嘉戬公路328号6幢底层
法律状态 -

摘要

摘要 一种垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，涉及晶体生长新工艺，在泡生法的基础上，结合提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法的优点，包括提拉结构，在所述的提拉结构下与炉盖和炉膛相连，所述的炉膛中设置有法兰座、金属发热体、保温罩和坩埚，在所述的法兰座下固定环状组合保温层，所述的坩埚下设置坩埚托和坩埚托杆用于支撑坩埚，所述坩埚托杆外包裹下保温罩。通过创造一个可调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，生产出大尺寸高温氧化物晶体。有益效果是利用最低的能耗和最低的成本制造出多种高品质高温氧化物晶体材料。