一种用于提拉法生长铽镓石榴石晶体的原料合成方法
基本信息
申请号 | CN200910056546.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101649488B | 公开(公告)日 | 2013-03-20 |
申请公布号 | CN101649488B | 申请公布日 | 2013-03-20 |
分类号 | C30B29/28 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 柳祝平;裴广庆;黄小卫;王有明 | 申请(专利权)人 | 上海元亮光电科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 214037江苏省无锡市江海西路金山北科技园金山四支路9号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种用于提拉法生长铽镓石榴石晶体的原料合成方法,包括以下步骤:a.将氧化镓(Ga2O3)溶于硝酸溶液得到硝酸镓溶液;b.将氧化铽(Tb4O7)溶于硝酸溶液得到硝酸铽溶液;c.将上述两种溶液按照Ga∶Tb=3∶5的摩尔比进行充分的混合,得到混合溶液A;d.配制一定量的2.5mol/L的氨水溶液B;e.将混合溶液A和氨水溶液按照相同的流量同时滴入一大型容器中,使得溶液pH值维持在9~11之间,直到溶液沉淀完全;f.将上述沉淀静置一定的时间后,依序进行洗涤、过滤、再沉淀;g.将再沉淀好的铽镓石榴石前趋物进行烘干、压片;h.对压好片的铽镓石榴石在高温下烧结适当的时间。采用本发明获得的铽镓石榴石原料可用于提拉法生长单晶体,得到的晶体质量好,无明显的开裂、散射、条纹和黑点,且铽镓石榴石晶体加工成品率高。 |
