一种激光切割硅晶片的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111668297.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114083155A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114083155A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | B23K26/38（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I;B23K26/70（2014.01）I | 分类 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工; |
| 发明人 | 蒋仕彬 | 申请（专利权）人 | 杭州银湖激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陶海锋 |
| 地址 | 311400浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号十三层1317室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种激光切割硅晶片的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）提供一波长在2.0±0.2微米的光纤激光器，光纤激光器输出脉冲宽度不大于100纳秒的脉冲激光束；（2）将脉冲激光束透过待切割硅晶片聚焦至底面，自下而上移动聚焦点形成一个纵向裂纹；（3）移动聚焦点至切割轨迹的下一个位置；（4）重复步骤（2）和步骤（3），直至形成切割包络；（5）裂片，完成对硅晶片的切割。本发明减小了热影响区，特别适合于对光伏电池使用的硅晶片的切割。 |
