一种高密度高速存储板卡

基本信息

申请号 CN201620993169.6 申请日 -
公开(公告)号 CN206147601U 公开(公告)日 2017-05-03
申请公布号 CN206147601U 申请公布日 2017-05-03
分类号 G06F13/16(2006.01)I 分类 计算;推算;计数;
发明人 吴惠阳 申请(专利权)人 西安辉道电子科技有限公司
代理机构 北京挺立专利事务所(普通合伙) 代理人 叶树明
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路373号新长城大厦1幢1单元23层12311室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高密度高速存储板卡,包括NAND Flash阵列模块、FPGA模块、配置芯片模块、电源管理模块以及接口模块,存储板通过FPGA模块实现了对NAND Flash阵列模块的并行流水读写,达到单板最大3TB容量、存储带宽1.5GB/s的存储系统,具有单板高密度、高速访问的特点,并且上位机能够通过PCIe或者SATA接口控制访问存储系统,本实用新型还具有系统易于集成,数据通信速率高的优点,可应用于雷达高速数据采集存储、半实物仿真等领域对数据存储容量和存储带宽要求较高的场合。