一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610860973.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106479505B | 公开（公告）日 | 2018-09-28 |
| 申请公布号 | CN106479505B | 申请公布日 | 2018-09-28 |
| 分类号 | C09K13/06 | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 胡涛;刘志彪;陈虹飞;邢攸美;尹云舰 | 申请（专利权）人 | 杭州格林达电子材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州赛科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杭州格林达电子材料股份有限公司 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市萧山区杭州萧山临江工业园区红十五路9936号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6‑三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。 |
