一种芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法及其显影液

基本信息

申请号 CN202110241380.8 申请日 -
公开(公告)号 CN112859551A 公开(公告)日 2021-05-28
申请公布号 CN112859551A 申请公布日 2021-05-28
分类号 C08G65/30(2006.01)I;B01F17/00(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I 分类 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
发明人 李潇逸;邢攸美;方伟华;倪芸岚;尹云舰;高立江 申请(专利权)人 杭州格林达电子材料股份有限公司
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 奚丽萍
地址 311228浙江省杭州市萧山区红十五路9936号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法及其显影液产品,所述芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法包括以下步骤:非离子型表面活性剂的溶解、杂质析出、杂质分离、分析杂质离子浓度、加纯水稀释并重复前面步骤直至各指标达到半导体集成电路用显影液的使用要求。所述显影液产品是由纯化后的非离子型表面活性剂的水溶液与四甲基氢氧化铵水溶液进行循环冷却搅拌混合,得到四甲基氢氧化铵浓度为1‑5 wt%的显影液产品。本发明的提纯方法操作流程简单,设备需求简单,成本低,在提纯过程中不会引入其他杂质组分,采用提纯后非离子型表面活性剂水溶液进行复配的显影液产品,可满足芯片集成电路使用的洁净度和应用要求。