一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911250769.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111440613A | 公开（公告）日 | 2020-07-24 |
| 申请公布号 | CN111440613A | 申请公布日 | 2020-07-24 |
| 分类号 | C09K13/00(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 胡涛;邢攸美;高立江;王小眉;李玉兴;王小栋;尹云舰;方伟华;施珂 | 申请（专利权）人 | 杭州格林达电子材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杭州格林达电子材料股份有限公司 |
| 地址 | 311228浙江省杭州市萧山区红十五路9936号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。 |
