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高光效紫外LED外延结构

基本信息

申请号 CN201911210984.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111063772A 公开（公告）日 2020-04-24
申请公布号 CN111063772A 申请公布日 2020-04-24
分类号 H01L33/14;H01L33/04;H01L33/32 分类 基本电气元件;
发明人 付羿;刘卫 申请（专利权）人 江西晶亮光电科技协同创新有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种高光效紫外LED外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层、电子阻挡层及p型电流扩展层；其中，电子阻挡层为由ScaAl1‑aN层和GaN层形成的周期性结构，0.15aAl1‑aN层和GaN层形成的周期性结构)中，很薄的ScAlN层就可以产生很大的自发极化电场致GaN层的能带足够弯曲，从而降低Mg的激活能，获得高浓度空穴，有效提高LED的光电效率。