GaN基紫外LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201911210806.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129243A | 公开（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申请公布号 | CN111129243A | 申请公布日 | 2020-05-08 |
| 分类号 | H01L33/32;H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 付羿;刘卫 | 申请（专利权）人 | 江西晶亮光电科技协同创新有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种GaN基紫外LED的外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由InaGa1‑aN量子阱层和AlGaN突变阶梯势垒层形成的周期性结构；其中，0.01 |
