一种高纯二氧化锗的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811398996.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109437284B | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN109437284B | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | C01G17/02(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 陈建国;聂玉 | 申请（专利权）人 | 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 421001湖南省衡阳市石鼓区松木经济开发区上倪路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高纯二氧化锗的制备方法，步骤如下：以普通二氧化锗为原料，将其缓慢加入到水中与水反应，反应产物干燥后得到二氧化锗粉体；将二氧化锗粉体在真空条件下进行熔化，得到二氧化锗液体；二氧化锗液体直接倒入到600‑700℃的模具中，恒温，然后逐渐冷却到300‑400℃，恒温，再冷却至室温，得到二氧化锗锭；二氧化锗锭放入加热装置中，先缓慢升温至1200‑1250℃，恒温，再缓慢降温至600℃‑800℃，恒温，再降温至常温得到高纯二氧化锗。采用上述方法得到的高纯二氧化锗的纯度达到99.9999％以上，并且含氯量低于0.004％，整个过程中不需要加入化学试剂，对环境无污染，操作简便，生产成本低。 |
