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一种高功率LED陶瓷封装基座及其生产工艺

基本信息

申请号	CN200810133877.2	申请日	-
公开（公告）号	CN101335319B	公开（公告）日	2011-11-02
申请公布号	CN101335319B	申请公布日	2011-11-02
分类号	H01L33/00(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	谢灿生	申请（专利权）人	潮州市三江投资有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	515646 广东省潮州市凤塘三环工业城综合楼
法律状态	-

摘要

本发明涉及到一种陶瓷封装基座，尤其涉及到一种SMD高功率LED陶瓷封装基座。其由上陶瓷层和下陶瓷层构成，上陶瓷层提供反射杯，在上陶瓷层还设有用于安装光学透镜用的光学透镜安装区和用于安装二次光学组件的二次光学组件安装区，下陶瓷层上侧设有打线区和底部焊盘，基座还设有电导通孔，所述的上陶瓷层和下陶瓷层由相同或不同的陶瓷材料制成，且在所述上陶瓷层的底面设置有环形凹槽，所述环形凹槽内填充有无机介质材料，两陶瓷层间用无机熔封介质材料烧结方式连接。本发明提高了SMD高功率LED封装基座散热性能，改善因温升导致LED芯片光衰大及寿命下降的问题；增强LED产品耐高低温度冲击性能，提高产品的可靠性、稳定性；降低生产成本。