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一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚

基本信息

申请号 CN201220439464.9 申请日 -
公开（公告）号 CN202744654U 公开（公告）日 2013-02-20
申请公布号 CN202744654U 申请公布日 2013-02-20
分类号 C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 周俭;李德建;陈昌林;陈锐;陈剑春;付雁清;薛东;李福龙 申请（专利权）人 上海杰姆斯电子材料有限公司
代理机构 北京元中知识产权代理有限责任公司 代理人 上海杰姆斯电子材料有限公司
地址 200333 上海市普陀区绿洲中环商务中心金沙江路1628弄5号1001室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚，包括由底部与侧壁组成的坩埚本体，所述的坩埚为分段式坩埚结构，坩埚本体根据材料的不同自上到下至少分成两段，包括上层的碳-碳复合结构的侧壁和下层的石墨结构的底部，侧壁上均匀分布有多个导热孔；所述的导热孔直径为5～20mm，导热孔边界之间的距离根据不同的孔密度为10～50mm；所述侧壁上均匀分布所述导热孔的区域为距离侧壁上沿2～6cm，向下垂直方向的宽度为16～25cm，该区域侧壁的内表面平行于坩埚的中心轴。本实用新型所述的坩埚具有导热性好，温度控制性能好，使用寿命长，装料量大的特点。