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一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚

基本信息

申请号 CN201220439456.4 申请日 -
公开（公告）号 CN202744653U 公开（公告）日 2013-02-20
申请公布号 CN202744653U 申请公布日 2013-02-20
分类号 C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 薛东;李德建;陈昌林;陈锐;陈剑春;付雁清;李福龙 申请（专利权）人 上海杰姆斯电子材料有限公司
代理机构 北京元中知识产权代理有限责任公司 代理人 上海杰姆斯电子材料有限公司
地址 200333 上海市普陀区绿洲中环商务中心金沙江路1628弄5号1001室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，包括由底部与侧壁组成的石墨坩埚本体，所述的石墨坩埚本体侧壁外表面均匀分布有内凹的螺纹状气体导流槽，螺纹状气体导流槽与水平面之间具有倾斜夹角。所述的石墨坩埚本体包括限定内部容积的内底面、内侧面以及限定传热面积的外底面、外侧面，石墨坩埚本体的内底面形状与石英坩埚底部的形状相适应，其中，内侧面与石墨坩埚的中心轴平行，内底面呈球弧状，弧度半径为R1，内底面与内侧面之间为球弧形连接，弧度半径为R2，所述的R1大于或等于R2。本实用新型所述石墨坩埚进一步改善拉晶过程中的气流导向，使得排气更顺畅；并且增强了坩埚导热性能，优化了热场温度控制稳定性。