一种提升金属氧化物薄膜均匀性的磁控溅射腔体

基本信息

申请号 CN202020319044.1 申请日 -
公开(公告)号 CN212051630U 公开(公告)日 2020-12-01
申请公布号 CN212051630U 申请公布日 2020-12-01
分类号 C23C14/35(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 巨锦华;林晓东 申请(专利权)人 中科微机电技术(北京)有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100085北京市海淀区西三旗昌临813号A1号楼103室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种提升金属氧化物薄膜均匀性的磁控溅射腔体,包括腔体,安装在腔体上部的驱动装置、磁性件和靶材,置于腔体内的护板、基片和加热器,安装在腔体侧壁的低温泵;驱动装置和磁性件相连接,靶材置于磁性件的下方,基片通过基座压环安装在加热器上并置于护板围成的空间内,护板安装在靶材与加热器之间,还包括腔体混合进气装置、筛形分气装置和转轴,筛形分气装置安装在腔体内部,腔体的侧壁设置总进气口,腔体混合进气装置通过总进气口与筛形分气装置连通,转轴与加热器连接,用于带动加热器上的基片匀速旋转。本实用新型通过设置腔体混合进气装置、筛形分气装置和转轴,提高了气体分布均匀性和金属氧化物薄膜均匀性。