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改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构

基本信息

申请号	CN201611169570.9	申请日	-
公开（公告）号	CN106756790B	公开（公告）日	2018-12-25
申请公布号	CN106756790B	申请公布日	2018-12-25
分类号	C23C14/08;C23C14/35	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	林晓东;李成强	申请（专利权）人	中科微机电技术（北京）有限公司
代理机构	北京酷爱智慧知识产权代理有限公司	代理人	安娜
地址	100085 北京市海淀区安宁庄路23号2幢六层6161室
法律状态	-

摘要

本发明提出一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，包括：腔体、驱动装置、磁性件、靶材、上挡板、下挡板、晶片等；上挡板呈倒锥形筒状，上挡板的外沿架设在腔体的开口处，且上挡板的底端低于基座压环的上表面；腔体开设有氧气进口，进口处安装有进气环，气环分为外环和内环，外环是一个进气口，分开两个出气口，分开的两路孔连接内环，内环的孔对称分布。本发明的腔体结构，气体进入腔体后不会立即从上、下挡板之间的缝隙中抽走，气体下抽的过程中，气流会有一个向中心方向的矢量，提高了晶圆中心的反应气体浓度；将混合进气改为单独进气，气流分布均匀，弥散性更好，氧气和氩气进气口分开，氩气能更好的搅拌氧气，使氧气分布更均匀。