CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路
基本信息
| 申请号 | CN202011589600.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112738433A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112738433A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H04N5/374;H04N17/00 | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 王玮;范春晖 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吴世华;尹一凡 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路，包括若干个像素单元和读出电路，所述像素单元呈行列排布，且通过所述读出电路相连；同一列的像素单元的传输管的栅极共用一第一电压输入端；同一行的像素单元的悬浮漏极共用一第二电压输入端，光电二极管的第一端共用一测试电压输出端，由此获得相应列的相应行的像素单元，即测试像元的完全耗尽电压。本发明方便有效的监控和提高像素阵列中像元满阱容量的一致性，制造出高质量的图像传感器像素阵列，提高采集图像的质量。 |
