用于MOCVD系统中控制外延片温度及均匀性的装置与方法
基本信息
| 申请号 | CN201010263355.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101906622A | 公开（公告）日 | 2010-12-08 |
| 申请公布号 | CN101906622A | 申请公布日 | 2010-12-08 |
| 分类号 | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 陈爱华;金小亮 | 申请（专利权）人 | 江苏中晟半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏中晟半导体设备有限公司;华晟光电设备（香港）有限公司 |
| 地址 | 中国香港湾仔谢斐道90号豫港大厦17楼1701室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于MOCVD系统中控制外延片温度及均匀性的装置，托盘上方沿径向设置一组非接触、发光补偿的光学温度计，反馈托盘上多个环状区域内单个或多个外延片的温度。温度控制器以外延片温度的统计平均值与外延工艺规定温度的差异最小为目标，独立控制托盘下方的若干加热元件的功率输出。每个环状区域内的多个外延片，由下方一个或相邻多个环状排列、径向覆盖面积较小的加热元件来对应加热，在不同温度的工艺条件下，能有效平衡外延片及托盘在径向的热量流失，实现对单个外延片和相邻外延片之间温度及均匀性的精确与稳定的控制。本发明还通过设置接触式热电耦温度计来测量加热器温度，作为外延工艺规定温度的参照点，同时监测加热器是否正常工作。 |
