用于MOCVD反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置
基本信息
| 申请号 | CN201010258877.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101914761B | 公开（公告）日 | 2012-04-25 |
| 申请公布号 | CN101914761B | 申请公布日 | 2012-04-25 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 金小亮;孙仁君;陈爱华 | 申请（专利权）人 | 江苏中晟半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏中晟半导体设备有限公司 |
| 地址 | 213200 江苏省常州市金坛市金坛经济开发区华城路318号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种垂直式MOCVD反应腔中反应气体输送与均匀分布控制的装置，分别通过前置匀气板的径向上疏密分布的气体通道和不同位置上输入通道的流量控制，分别使至少两种反应气体引入喷淋头上径向、轴向交叉分布的两路、可设置不同形状的喷口进行二次分配，实现在旋转的外延片表面获得所需均匀分布的边界层浓度、速度和温度，提高大规模生产的外延薄膜的质量和外延片的成品率，而且能有效控制昂贵反应气体的消耗，降低外延生产的成本。通过适当增加喷淋头表面与外延片间的距离，减少外延生长中在喷淋头表面和喷口处产生的沉积物，延长清洗周期，提高了生产效率和系统产能。该装置还可降低喷淋头的喷口及冷却介质通道的加工难度和制造成本。 |
