一种基于IGBT实现控制的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910909742.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110707905B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110707905B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H02M1/08（2006.01）I;H03K17/567（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 徐之文;薛英杰;邱瑞鑫;车兰秀 | 申请（专利权）人 | 广州华工科技开发有限公司 |
| 代理机构 | 广东广盈专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 李俊 |
| 地址 | 510000广东省广州市天河区石牌华南理工大学内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于IGBT实现控制的方法，于功率半导体模块技术领域，包括DSP控制器、绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片以及电流检测器；DSP控制器耦接在电流检测器上，用于接收电流检测器检测的电流信号与控制信号；绝缘栅双极型晶体管芯片的一端还耦接有变频器，流二极管芯片一端还耦接有不间断电源。对流过绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片的电流值，进而可以控制电流通过向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通，向门极电压消除沟道，切断基极电流，进而避免GBT内元件受损。 |
