超薄超平晶片和制备该超薄超平晶片的方法
基本信息
| 申请号 | CN201711458484.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109972204B | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN109972204B | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C30B29/18;C30B29/30;C30B29/64;C30B33/02;C30B33/10 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 朱厚彬;张秀全;胡卉;薛海蛟;李真宇 | 申请（专利权）人 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区舜华路750号B303-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供了一种超薄超平晶片以及一种制备超薄超平晶片的方法，所述方法可以包括以下步骤：提供均具有抛光面的衬底基板和目标晶片基板；在衬底基板的抛光面上旋涂保护胶层，然后对衬底基板的与所述抛光面相对的背面进行研磨减薄；对目标晶片基板和研磨减薄后的衬底基板进行清洗；将目标晶片基板的抛光面与衬底基板的抛光面直接接触，以形成键合体；对键合体中的目标晶片基板进行研磨减薄，并进行抛光处理，以使目标晶片基板达到目标厚度；以及将抛光后的键合体浸入选择性腐蚀溶解溶液，以去除衬底基板，从而得到超薄超平晶片。 |
