一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910891629.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110581212B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN110581212B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L41/187;H01L41/253;H01L41/257 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李真宇;胡文;张秀全;罗具廷;杨超 | 申请（专利权）人 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 | 代理人 | 张娟 |
| 地址 | 250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台区1号楼B座1806室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法，单晶单畴压电薄膜依次包括单晶薄膜层、二氧化硅层、介质层和单晶硅层；其中单晶薄膜层的材料为单晶铌酸锂或单晶钽酸锂；介质层为单晶硅的损伤层、非晶硅或多晶硅；本发明的单晶单畴压电薄膜的压电系数为体材料的98%~100%，而采用现有技术的压电系数为体材料的10~90%，单畴单晶薄膜在使用时压电性能稳定，机电耦合系数不会下降，器件带宽宽、损耗低，一致性好；本发明的制备方法成本低、能耗低、效率高，适用于工业生产，成品率高；所得薄膜中数十纳米的二氧化硅层都可以达到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均匀性好的效果，因而所得器件具有较好的一致性。 |
