压电薄膜复合基板及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010071169.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113223943A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113223943A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L21/265（2006.01）I;H01L21/18（2006.01）I;H01L41/39（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;张涛 | 申请（专利权）人 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址 | 250101山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台区1号楼B座1806室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种压电薄膜复合基板及其制备方法，所述压电薄膜复合基板包括：衬底；压电薄膜层，位于衬底的上表面上；以及隔离层，位于衬底与压电薄膜层之间。隔离层包括具有不同折射率且彼此交替堆叠的多个子隔离层，并且所述多个子隔离层中的每个子隔离层的折射率小于压电薄膜层的折射率。 |
