一种薄膜体声波器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010188672.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113411064A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113411064A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H03H9/02（2006.01）I;H03H3/08（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 张秀全;朱厚彬;李真宇;刘桂银 | 申请（专利权）人 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明;许伟群 |
| 地址 | 250100山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种薄膜体声波器件及其制备方法，所述薄膜体声波器件包括：带有空腔的薄膜体、顶电极层和底电极层；所述带有空腔的薄膜体包括第一衬底层和压电薄膜层，所述空腔贯穿所述第一衬底层；所述底电极层沉积于所述空腔内裸露的压电薄膜层下，所述顶电极层沉积于所述压电薄膜层上、与所述底电极层相对。由于体声波产生区域为底电极层与顶电极层所覆盖区域，因此，本申请实施例提供的薄膜体声波器件，相对有现有技术中，在整个压电膜层的两面完全覆盖底电极层和顶电极层的方案，可以降低驱动电压，减少声波滤波器的耗能。 |
