一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜
基本信息
| 申请号 | CN202110479316.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113193109A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113193109A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L41/312（2013.01）I;H01L41/33（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘桂银;张秀全;刘阿龙;王金翠 | 申请（专利权）人 | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明;许伟群 |
| 地址 | 250100山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜。其中，制备方法包括在原始基板的第一表面和第二表面上进行离子注入，得到晶圆注入片；晶圆注入片依次包括第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层和第二薄膜层；将第一薄膜层与第一支撑基板键合，将第二薄膜层与第二支撑基板键合，得到键合体；第二支撑基板的热膨胀系数和第一支撑基板的热膨胀系数相同；将键合体进行加热至目标温度并以目标温度保温至目标时间，以使第一薄膜层和第二薄膜层分别与余质层分离，得到第一复合薄膜和第二复合薄膜。采用上述制备方法，避免键合体发生弯曲，复合薄膜处于平坦状态，避免复合薄膜发生炸裂，提高复合薄膜的成品率，降低复合薄膜的生产成本。 |
