一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜
基本信息
| 申请号 | CN201810470779.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108570656B | 公开（公告）日 | 2020-02-18 |
| 申请公布号 | CN108570656B | 申请公布日 | 2020-02-18 |
| 分类号 | C23C16/34;C23C16/44 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 纪幸辰 | 申请（专利权）人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市深联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 地址 | 518040 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然九路11号海松大厦B座2201C | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；S3.通入非活性气体，加热到750℃～850℃；S4.通入气体H2SiCl2和NH3，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；S5.再通入非活性气体；S6.对沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将初级氮化硅薄膜顺序调换；S7.重复步骤S3～S5，发生化学反应，对沉积设备腔进行降温，获得氮化硅薄膜。本发明还公开了一种氮化硅薄膜。实施本发明的技术方案中，在保持氮化硅膜特性不变的情况下，制备得到的氮化硅膜厚度可大于400nm，薄膜不均匀度小于1％。 |
