半导体器件和调温设备
基本信息
申请号 | CN201920396464.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN209747557U | 公开(公告)日 | 2019-12-06 |
申请公布号 | CN209747557U | 申请公布日 | 2019-12-06 |
分类号 | H01L35/30(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 余小强; 姜仕鹏 | 申请(专利权)人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
地址 | 518000 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然九路11号海松大厦B座2201C | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种具有较高的调节温度效率的半导体器件和调温设备。该半导体器件包括包括依次设置的第一导热绝缘层、第一导电导热层、半导体层、第二导电导热层、多孔散热层、第二导热绝缘层,所述半导体层包括P‑N半导体单元。在半导体层两侧相对设置的第一导热绝缘层、第一导电导热层和第二导电导热层、第二导热绝缘层可以使热量更迅速高效地传导。半导体层制冷侧开启制冷后,待制冷调温处的热量迅速由第一导热绝缘层和第一导电导热层转移到半导体层,实现更加高效地吸热。而半导体产热侧开启后,热量通过半导体层转移到第二导电导热层,并通过第二导热绝缘层和多孔散热层进行有效散热,以此实现更迅捷地对待制冷调温处进行温度的调节。 |
