一种基于氮化硅的激光器
基本信息
| 申请号 | CN201910154959.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109768471A | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN109768471A | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01S5/30（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴兴宇 | 申请（专利权）人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市深联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 地址 | 518040 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然九路11号海松大厦B座2201C | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种基于氮化硅的激光器，包括：沿着光路方向上依次设置的泵浦源、反射镜面、增益介质、用于产生激光的生成器及与所述的生成器相连接的控制器，所述的反射镜面用于将来自泵浦源的激光进行反射，所述的增益介质用于将反射过来的激光进行放大，所述的生成器为氮化硅器件。本发明的一种基于氮化硅的激光器,运用氮化硅芯片，可以极大的简化激光的系统复杂程度并且降低成本。 |
